作者：周闵新,秦明,黄庆安 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2003年第Z1期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2003Z11390 DOC编号：DOCBDTQ2003Z11399 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 在MEMS表面加工工艺中 ，多晶硅薄膜是微结构的重要组成部分。本文考虑加工工艺中残余应力的影响和多晶硅材料的强度范围 ，建立多晶硅膜的大变形模型 ，设计可用于压力传感器应用的多晶硅薄膜几何尺寸。采用有限元方法对多晶硅薄膜进行力学分析和设计验证 ，提出了CMOS工艺兼容的多晶硅压力敏感膜的加工方法 ，并且根据所设计的工艺进行了电容式压力传感器微结构的加工 ，加工结果说明了多晶硅薄膜设计的合理性和CMOS兼容工艺的可行性

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