作者： 单位：信息产业部电子科学技术情报研究所 出版：《电子科技文摘》2003年第01期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDKWZ2003010340 DOC编号：DOCDKWZ2003010349 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 030031110keVX 射线在“加速实验”辐照中的优势[刊]/郭红霞//微电子学.—2002.32(4).—269～272(D)0300312调制掺杂层在 SiGe PMOSFET 中的应用[刊]/史进//微电子学.—2002，32(4).—249～252(D)0300313氟离子敏场效应管的研制[刊]/张虹//传感器技术.—2002，21(9).—27～28(D)

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