作者:刘刚,吴冲若,林海安,邱洁贞 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》1994年第05期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ1994050040 DOC编号:DOCCGQJ1994050049 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 系统讨论了影响pH-ISFET传感器稳定性的各种因素,在此基础上给出了一些实验结果,并提出了提高器件稳定性的措施。

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