作者:高晓光,李建平,何秀丽,于中尧,王利 单位:中国电子科技集团公司第48研究所 出版:《微细加工技术》2002年第01期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFWXJS2002010110 DOC编号:DOCWXJS2002010119 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《微结构气敏传感器的热分析与结构设计》PDF+DOC2000年第03期 李建平,高晓光,朱敏慧 《微结构气敏传感器敏感薄膜制备方法的研究》PDF+DOC2000年第03期 李建平,王悦,高晓光,王利,韩泾鸿 《CuO-ZnO异质结半导体陶瓷气敏机理的研究》PDF+DOC2000年第04期 胡英,周晓华,魏红军 《CuO-SnO_2半导体陶瓷气敏机理研究》PDF+DOC1995年第01期 周晓华,徐毓龙,曹全喜 《芯片自恒温集成FET气敏传感器简介》PDF+DOC1992年第02期 丁辛芳,金恒,俞海明 《ZnO系半导体陶瓷气敏传感器的进展》PDF+DOC1991年第03期 娄向东,沈荷生,沈瑜生 《用气相反应法制备纳米WO_3气敏材料》PDF+DOC2005年第02期 余华梁,黄世震,林伟,陈伟 《氧化物半导体丙酮气敏传感器材料研究与应用》PDF+DOC2004年第08期 古彦飞,季惠明,张颖 《电阻式半导体气体传感器》PDF+DOC2006年第07期 张强,管自生 《MEMS气敏传感信息的动态预测补偿方法》PDF+DOC2014年第04期 叶廷东,程韬波,刘桂雄,周松斌
  • 微结构气敏传感器由于其微型化、低功耗、易阵列化和易批量生产等优点而受到国内外研究者的广泛关注。利用微机电系统 (MEMS)加工技术 ,制备Si基膜片型微结构单元 ,并分析其热学性能。这种单元工作区温度为~ 30 0℃时 ,加热功率约75mW ;并且膜片工作区的热质量很小 ,温度可以于毫秒量级的时间内 ,在室温和4 50℃之间调制。利用这种微结构单元 ,可以在温度调制方式下 ,研究气敏薄膜的电学特性和敏感机理

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