作者:张庆志,鲍爱达,郭涛,孙韬 单位:中国计算机自动测量与控制技术协会 出版:《计算机测量与控制》2012年第05期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFJZCK2012050490 DOC编号:DOCJZCK2012050499 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《基于步进应力加速寿命试验的硅压力传感器寿命预测》PDF+DOC2009年第12期 吴永亮,陈国光,孟召丽 《硅压力传感器研究现状》PDF+DOC1999年第06期 王丰 《硅压力传感器的三维微细加工》PDF+DOC1991年第01期 孟涛 《带有补偿电路的互换性硅压力传感器》PDF+DOC1990年第03期 P.Kopystynski,E.Obermeier,林正强 《SOI单晶硅压力传感器模拟计算与优化设计》PDF+DOC2003年第01期 倪智琪,姚素英,张生才,赵毅强,张为,张维新 《硅压力传感器的可靠性测试》PDF+DOC2003年第02期 程军 《高精度发动机漏气测定仪的设计》PDF+DOC2002年第05期 高湘玲,林建辉 《气体传感器电应力可靠性试验与分析》PDF+DOC2011年第01期 刘鹏飞,郭涛,秦丽,石安利 《可靠性强化试验在硅压力传感器上的应用》PDF+DOC2010年第08期 石安利,秦丽,夏文达,刘广泉,周鹏斌 《一种硅压力传感器的高精度宽温度补偿设计》PDF+DOC2010年第04期 胡永建
  • 以硅压力传感器为研究对象,文中在对该压力传感器失效模式和失效机理调研的基础上,建立了压力传感器在振动应力作用下的失效物理方程,进行了以振动应力为加速因子的恒定应力加速寿命试验;结果表明,在振动应力作用下,传感器的失效物理方程为逆幂律模型;经对试验数据进行统计分析,求得了传感器在振动应力作用下的可靠性参数估计值及加速寿命方程lnη=-6.46034-4.73856lnS;通过对传感器进行可靠性评估,得出了传感器的平均寿命和可靠寿命分别为53246小时和23248小时。

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