作者:宋冬雪,薛晨阳,王玮冰,何鑫,孟如男 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》2012年第09期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ2012090220 DOC编号:DOCCGQJ2012090229 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 针对不同应用的热敏MEMS器件的界面电路设计高性能放大器,提出建立与CMOS工艺兼容的热敏MEMS器件前置放大器的IP库的概念。通过提取相关热敏器件的典型参数,设计低功耗、低噪声且分别符合精度和速度等特殊要求的前置放大器,对3种不同结构的放大器进行分析研究,并利用Cadence软件,基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺库进行设计仿真。仿真结果表明:3种不同结构的放大器可以用于相应性能要求的热敏MEMS器件中。

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