作者:魏长征,周伟,李昕欣 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》2011年第11期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS2011110010 DOC编号:DOCYBJS2011110019 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 文中介绍了一种以表面微机械技术制造的带有片上静电自检测功能的压阻式加速度传感器。该芯片制造利用了表面微机械加工技术,以低应力氮化硅薄膜为结构材料,多晶硅作为压阻材料,引入了准LIGA的电镀铜工艺,实现了一款低成本、与IC制造工艺相兼容的压阻式加速度传感器。电镀的铜质量块使压阻输出获得了足够高的灵敏度。利用金属质量块和衬底形成的一对电极,实现了可片上检测器件是否正常工作的片上静电自检测功能。传感器测试结果表明,加速度输出灵敏度为25.1μV/g,-3 dB频率带宽为1.3 kHz。

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