作者:房家骅,谭秋林,刘文怡,李超 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》2015年第08期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ2015080170 DOC编号:DOCCGQJ2015080179 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 采用羟基修饰后的碳纳米管作为气体传感器的气敏材料,会使其响应灵敏度提高。利用密度泛函理论研究了两种气体分子(Cl2和H2S)在本征单壁碳纳米管(SWCNT)和羟基修饰过的单壁碳纳米管(SWCNT—OH)上的吸附。分析其态密度图,并尝试改变气体分子在碳纳米管上的吸附位置与方向,从吸附能的大小、电荷转移量的多少、吸附距离的远近上,为本征SWCNT,SWCNT—OH的气敏性和两种气体在碳纳米管上的最佳吸附位置姿态提供对比与理论分析。

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