作者:曹始建,刘晓明,朱钟淦,赵明锐,姚科明 单位:中国微米纳米技术学会;东南大学 出版:《传感技术学报》2010年第01期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGJS2010010130 DOC编号:DOCCGJS2010010139 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 设计高g微阵列传感器在受到150000gn加速度冲击作用下,它的电气性能良好。通过对改进封装后加速度传感器引线拉伸试验数据进行分析,利用模糊优化理论优点对试验数据进行模糊计算,得出最佳的精确焊接工艺参数。对不同工艺参数的传感器样品在霍普金森杆上进行冲击破坏试验,实验结果表明,在148000gn加速度冲击作用冲击下,传感器仍能正常工作,基本满足设计要求。

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