作者：阮伟华 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2010年第11期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2010110300 DOC编号：DOCCGQJ2010110309 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 介绍了一种基于CSMC 0.5μm CMOS工艺设计的高灵敏度集成开关型霍尔传感器。该传感器包括一个十字型霍尔器件和一个采用动态失调相消技术的信号调理电路。通过优化霍尔器件的结构和采用一种新型的信号调理电路，使霍尔传感器得到很高的灵敏度。TCAD器件仿真和Cadence电路仿真表明：在3 V的工作电压下，该传感器能检测最小2mT的磁场，输出标准的数字信号，并能消除霍尔器件内部高达6mV以上的失调电压。

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