作者：徐江涛,李斌桥,姚素英,任张强 单位：天津大学 出版：《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》2009年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFTJDX2009020120 DOC编号：DOCTJDX2009020129 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 基于SMIC 0.18μm工艺设计了一种低噪声的四管像素结构.通过在像素内增加传输管和存储节点实现了相关双采样，可同时消除固定模式噪声和随机噪声；采用Pinned光电二极管技术大幅降低了表面暗电流.所设计像素尺寸为3.6μm&#215；3.6μm，并将其应用于一款648&#215；488像素阵列CMOS图像传感器，经流片测试，图像传感器信噪比可达42 dB，在25℃下表面暗电流为25 mV/s(转换成电压表示的).所设计的四管Pinned光电二极管像素结构相对于传统三管像素结构，具有较低的噪声和暗电流。

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