《低噪声四管像素CMOS图像传感器设计与实现》PDF+DOC
作者:徐江涛,李斌桥,姚素英,任张强
单位:天津大学
出版:《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》2009年第02期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFTJDX2009020120
DOC编号:DOCTJDX2009020129
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基于SMIC 0.18μm工艺设计了一种低噪声的四管像素结构.通过在像素内增加传输管和存储节点实现了相关双采样,可同时消除固定模式噪声和随机噪声;采用Pinned光电二极管技术大幅降低了表面暗电流.所设计像素尺寸为3.6μm×;3.6μm,并将其应用于一款648×;488像素阵列CMOS图像传感器,经流片测试,图像传感器信噪比可达42 dB,在25℃下表面暗电流为25 mV/s(转换成电压表示的).所设计的四管Pinned光电二极管像素结构相对于传统三管像素结构,具有较低的噪声和暗电流。
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