《CMOS图像传感器辐射损伤研究》PDF+DOC
作者:邹旸,黄景昊
单位:湖南理工学院
出版:《湖南理工学院学报(自然科学版)》2017年第03期
页数:6页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFYYSF2017030080
DOC编号:DOCYYSF2017030089
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考虑γ射线辐射场对视频监控系统中CMOS图像传感器的辐照失效损伤,通过机理分析与辐照实验,研究图像传感器的辐射损伤效应以及对其性能参数的影响.设计辐照实验,选用同种工艺不同厂商生产的几类CMOS图像传感器,研究γ射线对CMOS图像传感器的损伤效应.实验结果表明,γ射线总剂量效应导致暗电流增大,从而使像素灰度值增大;γ射线瞬态电离效应在CMOS图像传感器像素阵列中形成雪花状的随机正向脉冲颗粒噪声,噪点的数量与剂量率相关;彩色图像受到入射γ光子的干扰相较于暗图像较弱;并且当累积剂量低于88.4Gy,剂量率低于58.3Gy/h时,不会产生坏点;光照充足时γ射线电离辐射对传感器分辨率、色度及暗电流的影响并不明显。
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