作者:李东海,胡明,孙凤云,陈鹏,孙鹏 单位:中国航发北京航空材料研究院 出版:《材料工程》2009年第04期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCLGC2009040180 DOC编号:DOCCLGC2009040189 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《Pd/SnO_2/SiO_2/Si集成薄膜的结构与气敏性能》PDF+DOC2006年第05期 王磊,杜军,毛昌辉,杨志民,熊玉华 《基于磁控溅射的金属氧化物气敏薄膜的研究进展》PDF+DOC2010年第05期 张茹,胡季帆,韩周祥,赵玛,吴占雷,魏剑英 《Pt-WO_3薄膜气敏传感器的气敏性能研究》PDF+DOC2008年第06期 李昌青,胡明,尹英哲,马晋毅,冯有才,陈鹏 《氧化钨纳米线修饰多孔硅结构的制备及NO_2气敏性能研究》PDF+DOC2019年第02期 胡明,秦岳,赵博硕,强晓永,周立伟 《2种不同工艺制备的“气敏-光学”敏感膜》PDF+DOC1994年第S1期 姚纲照,翁文华,周佐平 《Ni修饰层对SnO_2薄膜气敏性能影响》PDF+DOC2006年第06期 王磊,杜军,毛昌辉,杨志民 《纳米结构聚苯胺及其复合气敏材料研究进展》PDF+DOC2010年第04期 应邦育,李扬,杨慕杰 《直流反应磁控溅射法制备WO_3薄膜及其氢敏特性研究》PDF+DOC2008年第03期 胡明,冯有才,尹英哲,陈鹏 《WO_3气敏薄膜的膜厚对气体响应时间的影响》PDF+DOC2007年第06期 尹英哲,胡明,冯有才 《二氧化锡薄膜:制备及在室温下气敏性质(英文)》PDF+DOC 郝沛沛,陈长龙,魏玉玲,穆晓慧
  • 以P+型硅片为基底,利用双槽电化学腐蚀方法制备不同孔隙率的多孔硅(Porous Silicon),介绍多孔硅气体传感器的原理和优点,通过SEM和AFM对PS薄膜的表面形貌进行分析,研究不同孔隙率条件下PS薄膜的气敏灵敏特性。结果表明:随着孔隙率的增加,PS薄膜的响应/恢复时间不断减小,薄膜对空气中较低浓度的NO2(体积分数为0.1×10-5~6×10-5)具有优异的敏感特性和响应特性。

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