作者：林立娜,梁庭,赵丹,杨娇燕,李奇思,雷程 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2018年第10期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2018100080 DOC编号：DOCCGJS2018100089 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《真空退火对L1_0-CoPt薄膜结构、磁性及表面形貌的影响》PDF+DOC2017年第01期 宋智林,刘霞,张丽,全志勇 《Al金属多晶硅纳米膜欧姆接触的制作》PDF+DOC2009年第05期 崔虹云,张海丰,吴云飞 《退火对电容型硅纳米孔柱阵列湿度传感器性能的影响》PDF+DOC2008年第07期 吉慧芳,董永芬,李隆玉,姜卫粉,吕运朋,李新建

    • 针对SOI(Silicon on Insulator，绝缘体上的硅)高温压力传感器，在真空环境下使用退火的热处理方法，减小了p-Si与Ti/Pt/Au的接触电阻，得到了合适的电阻值和小的比接触电阻率。通过单一因素控制法研究了退火时间和退火温度两个关键因素对样品电阻值和接触表面形貌的影响。采用半导体分析仪、扫描电镜(SEM)和高低温探针台等测试设备以及传输线模型测试方法对样品的欧姆接触性能进行分析，得出了不同温度和时间与欧姆接触的关系。实验结果表明：样品在退火条件为570℃，80 min时电阻的I-V(伏安特性)曲线呈线性，阻值符合设计值，比接触电阻率小，在0～400℃测试环境下电阻值比较稳定。

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