作者:吉慧芳,董永芬,李隆玉,姜卫粉,吕运朋,李新建 单位:中国微米纳米技术学会;东南大学 出版:《传感技术学报》2008年第07期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGJS2008070040 DOC编号:DOCCGJS2008070049 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《γ-Fe_2O_3/硅纳米孔柱阵列湿敏元件的湿敏性能研究》PDF+DOC2008年第07期 王海燕,李隆玉,董永芬,李新建 《电阻式湿度传感器技术及相关专利分析》PDF+DOC 李玉林 《湿度传感器的新进展》PDF+DOC1993年第04期 骆如枋 《基于聚酰亚胺的电容式湿度传感元件的研制》PDF+DOC2009年第04期 周文和,刘倩,王良璧,任学昌,王良辰,常青 《纳米碳化硅/硅纳米孔柱阵列湿敏性能研究》PDF+DOC2011年第05期 王海燕,陈红彦,胡青飞,孟晓波,韩昌报,李新建 《基于Si-NPA的BaTiO_3薄膜的电容湿敏性能研究》PDF+DOC2007年第12期 李隆玉,肖顺华,董永芬,冯春岳,姜卫粉,李新建 《温湿度测量仪器的新进展(续)》PDF+DOC1996年第01期 魏俊奇 《双层CMOS工艺实现湿敏振荡器》PDF+DOC1990年第01期 M.Paramcswaran,H.P.Baltes,孙国梁 《努力促进我国湿敏技术产业化》PDF+DOC2002年第10期 石定桓,朱家国,李庆福 《基于ZnO/SiNWs异质结阵列的电容式湿度传感器》PDF+DOC2013年第02期 郑小东,于江江,王志亮,张健
  • 基于硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)制备电容型湿度传感元件,并在250℃、450℃和550℃三个温度下对元件进行退火处理。测试数据显示,在测试温度低于550℃时,Si-NPA湿敏元件灵敏度随退火温度的升高而增大,但响应时间略微延长,湿滞回差略微增大;550℃退火后,元件的灵敏度急剧降低。采用场发射扫描电镜(FE-SEM)对不同温度退火的硅纳米孔柱阵列表面形貌进行观察,发现550℃退火元件的微观多孔结构发生了明显变化,即多孔结构致密化。结果表明,通过合适温度退火可以显著提高Si-NPA湿敏元件灵敏度,同时仍然保持较快的响应速度和较小的湿滞回差。

    提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。