作者:蒋颜玮,房建成,盛蔚,黄学功 单位:东南大学 出版:《电子器件》2008年第04期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZQJ2008040150 DOC编号:DOCDZQJ2008040159 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 基于软磁非晶丝巨磁阻抗效应(GMI)的传感器是近年来磁传感器领域的研究热点之一。非晶丝具有良好的软磁特性:如低电阻率、高磁导率、高饱和磁感应强度、低矫顽力、低损耗以及特殊的磁畴结构等,利用其GMI效应制成磁传感器,其突出优点是微型化、高灵敏度、快速响应、高温度稳定性和低功耗。本文讨论了软磁非晶丝巨磁阻抗效应的机理,叙述了非晶丝GMI传感器的研究进展,着重对敏感材料性能及制备、GMI器件结构形式、传感电路等作了介绍,并指出了GMI目前存在的问题及将来的发展趋势。最后对GMI的应用作了展望。

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