作者:蒋颜玮,房建成,盛蔚,黄学功 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》2008年第05期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS2008050000 DOC编号:DOCYBJS2008050009 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《基于GMI效应的磁传感器研究与发展现状》PDF+DOC2011年第04期 郝建华,郑全普,胡然,丁丹 《高灵敏巨磁阻抗小型磁传感器研制》PDF+DOC2016年第08期 黄敬晖,郝洁,张延松,唐家耘,钱坤明,丁昂 《基于巨磁阻抗效应的磁传感器设计》PDF+DOC2015年第10期 杨志成,李伟 《基于巨磁阻抗效应的微磁传感器设计与实现》PDF+DOC2011年第08期 杨慧,王三胜,郭恺,褚向华,徐炎 《GMI磁传感器内部灵敏度与噪声特性研究》PDF+DOC2011年第02期 蒋颜玮,房建成,王三胜 《数字补偿式巨磁阻抗传感器设计》PDF+DOC2016年第02期 杨志成,车振 《基于CoFeNbSiB非晶丝巨磁阻抗效应的新型磁传感器》PDF+DOC2009年第08期 钱丙军,王长松,周晓敏 《软磁非晶丝巨磁阻抗效应传感器研究进展与应用》PDF+DOC2008年第04期 蒋颜玮,房建成,盛蔚,黄学功 《基于巨磁阻抗效应的新型高灵敏度磁敏传感器》PDF+DOC2007年第03期 陈世元,张亮,李德仁,卢志超,滕功清 《基于铁基非晶丝巨磁阻抗效应的新型磁传感器》PDF+DOC2006年第10期 郭成锐,江建军,邸永江
  • 基于巨磁阻抗效应(GMI)的磁传感器是近年来磁传感器领域的研究热点之一。采用非晶或纳米晶材料可以制备丝、薄带、薄膜和多层膜等不同的形态,利用它们的GMI效应制成GMI磁传感器,其突出优点是微型化、高灵敏度、快速响应、高温度稳定性和低功耗。叙述了巨磁阻抗磁传感器的研究进展,分别以非晶丝和多层膜为敏感元件的GMI磁传感器为例,着重对传感器的敏感材料、结构形式、处理电路及性能做了介绍,并指出了GMI磁传感器目前存在的问题及将来的发展趋势。

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