作者:柴秀丽,曾德长,刘桂雄,余红雅,钟喜春,刘文洁 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》2008年第09期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ2008090210 DOC编号:DOCCGQJ2008090219 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《基于巨磁阻抗效应的磁传感器设计》PDF+DOC2015年第10期 杨志成,李伟 《基于GMI效应的磁传感器研究与发展现状》PDF+DOC2011年第04期 郝建华,郑全普,胡然,丁丹 《GMI磁传感器敏感材料的研究进展》PDF+DOC2017年第04期 张振川,段修生 《高温超导技术在微磁传感器中的应用与发展》PDF+DOC 王三胜,郭强 《基于虚拟仪器技术的巨磁阻抗测量系统》PDF+DOC2006年第07期 郭成锐,江建军,邸永江 《巨磁阻抗效应及其应用》PDF+DOC2002年第04期 董延峰,王治,丁燕红 《反馈式巨磁阻抗弱磁传感器的设计与实现》PDF+DOC2011年第06期 卜雄洙,赵文,于葛亮,李云龙 《基于Fe基合金薄带巨磁阻抗效应的新型磁敏传感器》PDF+DOC2009年第06期 何理,郑金菊,金林枫,叶慧群 《巨磁阻抗传感器敏感材料的选择》PDF+DOC2009年第01期 蒋颜玮,房建成,黄学功,宋玉军 《基于内圆水纺丝的GMI微磁传感器设计》PDF+DOC2008年第04期 马勇,滕功清
  • 利用非晶纳米晶带材的巨磁阻抗(GMI)效应制备一种磁传感器,在输出最大值的特定频率下,研究与带材轴线平行和垂直方向磁场的输出特性。研究表明:在10.5 MHz附近的激励频率作用下,传感器输出取得最大值;传感器对平行磁场有一段高灵敏的线性工作区间,对垂直磁场不响应;纳米晶带材GMI磁传感器的灵敏度高达0.6691 V/Oe,优于非晶带材制备器件的灵敏度0.1483 V/Oe。

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