作者:王新华,王晓亮,冯春,冉军学,肖红领,杨翠柏,王保柱,王军喜 单位:中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版:《Journal of Semiconductors》2008年第01期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTX2008010290 DOC编号:DOCBDTX2008010299 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 通过溅射的方法制作了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应.研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H2(N2气中)的响应,计算了器件的灵敏度;并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢;空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用;最后由热电子发射公式计算了器件在通入10%的氢气前后有效势垒高度的变化。

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