作者:徐静平,韩弼,黎沛涛,钟德刚,吴海平 单位:中国微米纳米技术学会;东南大学 出版:《传感技术学报》2004年第01期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGJS2004010070 DOC编号:DOCCGJS2004010079 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《N_2O氧化制备MISiC氢传感器的响应特性分析》PDF+DOC2004年第02期 韩弼,徐静平,黎沛涛,李艳萍 《MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析》PDF+DOC2002年第03期 钟德刚,徐静平,黎沛涛,于军 《新颖的氧化生长绝缘层的MISiC传感器特性研究》PDF+DOC2006年第02期 韩弼,徐静平,李艳萍,陈卫兵,邹晓,李春霞 《AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器》PDF+DOC2008年第01期 王新华,王晓亮,冯春,冉军学,肖红领,杨翠柏,王保柱,王军喜 《基于气体绝缘层的FET式室温NO_2传感器》PDF+DOC2017年第03期 塔力哈尔·夏依木拉提,吐尔迪·吾买尔,尚志勇,冯艳,谢宁,彭敏 《MISiC高温氢气传感器研究》PDF+DOC2003年第05期 陈卫兵,宋跃 《SiC气体传感器》PDF+DOC2002年第06期 姬慧莲,杨银堂,郭中和,柴常春 《NS推全方位传感器设计解决方案》PDF+DOC2011年第03期 单祥茹 《MISiC肖特基二极管式氢敏传感器模型研究》PDF+DOC2008年第06期 申君君,王巍,王玉青 《新型防酒驾系统的研究和开发》PDF+DOC2015年第12期 周祖鸣
  • 分析了金属 绝缘体 SiC(MISiC)肖特基势垒二极管 (SBD)气体传感器的响应机理 ,将SBD热电子发射理论和氢吸附 解吸理论相结合 ,通过考虑势垒高度调制效应以及理想因子随外界条件的变化 ,建立了MISiCSBD气体传感器物理模型 ,模拟结果与实验十分吻合。采用此模型 ,分析了器件特性与绝缘层厚度的关系 ,并在灵敏度、可靠性和工作电流 /电流分辨率诸因素之间其进行了优化设计 ,对于 30 0℃左右的高温应用 ,确定出最佳绝缘层厚度为2~ 2 .3nm。

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