作者：张生才,龚川,姚素英,徐江涛 单位：哈尔滨工业大学 出版：《哈尔滨工业大学学报》2008年第07期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHEBX2008070350 DOC编号：DOCHEBX2008070359 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 基于CMOS图像传感器应用，针对列并行的单斜模数转换器设计了一种内在精度高、分辨率可调的斜坡发生器IP核.在建立数学模型的基础上，通过改变参考电压实现分辨率在8bits与10bits之间可调.在3.3V电源电压、10MHz采样时钟下，平均功耗为2.288mw；8位分辨率时最大微分非线性和积分非线性分别为0.12LSB和0.32LSB；10位分辨率时微分非线性&lt；0.38LSB，积分非线性&lt；0.54LSB，满足百万像素阵列数据处理要求.整体CMOS图像传感器芯片采用Chartered 0.35 μm CMOS工艺实现，斜坡发生器所占有效面积仅为150&#215；112μm2。

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