作者：牛新书,魏平涛,王雪丽,茹祥莉,陈晓丽 单位：重庆西南信息有限公司 出版：《材料导报》2008年第09期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCLDB2008090050 DOC编号：DOCCLDB2008090059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 较为详尽地论述了n型半导体材料In2O3的掺杂情况，并就不同金属氧化物掺杂引起的气敏性能作了简单的分析，发现不同的金属氧化物掺杂对NO2、O3及一些还原性气体的灵敏度有不同程度的提高，改善了In2O3的气敏性能，同时还探讨了In2O3对不同气体(H2、H2S、NO2、O3、Cl2、C2H5OH)的敏感机理。

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