作者:黄钦文,吴军,陈大鹏,陈永胜,叶甜春 单位:东南大学 出版:《电子器件》2008年第02期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZQJ2008020110 DOC编号:DOCDZQJ2008020119 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 以Al/Fe为催化剂,使用热CVD法在硅片表面垂直生长碳纳米管。研究了不同温度下,未经高温真空退火的碳纳米管吸附和解吸乙醇蒸汽时,碳纳米管电学特性的变化规律。把碳纳米管在真空下(<1Pa)进行高温(150℃)退火,对经过退火的碳纳米管在不同温度下,吸附和解吸乙醇蒸汽后电学特性的变化规律进行研究。实验结果表明,未经高温真空退火的碳纳米管电学特性表现出p型半导体特性,经过高温真空退火后,碳纳米管的电学特性变为n型半导体特性。

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