作者：张召涛,杨晓红,马勇,孙彩芹,闫勇彦,朱绍平 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2008年第08期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2008080150 DOC编号：DOCCGQJ2008080159 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 用X射线衍射和透射电镜表征了直流磁控溅射法制得的Ti-WO3薄膜的晶型、晶格常数、粒径等。研究了退火对Ti-WO3薄膜气敏性质和微结构的影响，找出了最佳退火温度和工作温度；并对机理进行了分析。结果表明：450℃退火的薄膜的气敏效应很好，最佳工作温度在150℃左右；

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