作者：孙凤玲,于海超,王金文,方建雷,杨永刚 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2007年第Z1期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2007Z10160 DOC编号：DOCBDTQ2007Z10169 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 微电子技术的发展促进了硅传感器的加工工艺水平的提高，使硅传感器获得良好的一致性、稳定性和可靠性，而半导体的温度特性使硅压力传感器的零点和灵敏度随温度而发生漂移。针对硅压阻式压力传感器这一“弱点”，介绍一种基于压力芯片的惠斯顿电桥建立外接电阻补偿网络的数学模型，利用MatLab优化工具箱提供的优化方法构建算法，对补偿电阻求解，实现对温度漂移的补偿。该方法更有助于基于硅压阻式压力芯片的OEM型产品的大规模量产。

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