作者：崔国平,杨海钢,夏善红,尹韬,李策 单位：东南大学 出版：《电子器件》2007年第03期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZQJ2007030270 DOC编号：DOCDZQJ2007030279 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 为了将基于MEMS技术的微型电场传感器与其信号处理电路集成在一个芯片上，设计了一种CMOS前置放大电路.该电路利用工作在线性区的长沟道MOSFET晶体管代替传统的无源器件做反馈来降低所占硅片面积，使用分流原理构建分流网络产生可编程的偏置电流来控制放大电路的增益.仿真结果表明该电路结构具有较好的线性度和很好的温度特性，长沟道晶体管的等效电阻与偏置电流相关，可以达到兆欧量级。

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