作者：陈新安,黄庆安 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2010年第06期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2010060050 DOC编号：DOCYBJS2010060059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • MOSFET静电场传感器是一种固态传感器，没有任何机械移动部件。文中研究了MOSFET静电场传感器的电流-电压特性和电流-电场特性。在给定的电场下，电流-电压特性曲线分为了两部分：非饱和区和饱和区。当MOS-FET静电场传感器工作在非饱和区时，漏-源电流的变化量ΔIDsat与测量电场成正比。但MOSFET静电场传感器工作在饱和区时，漏-源电流的变化量ΔIDSat与测量电场成非线性关系。但是，当测量电场比较小时，漏-源电流的变化量ΔIDS与测量电场成正比。

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