作者：胡建人,秦会斌 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2007年第Z1期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2007Z10560 DOC编号：DOCBDTQ2007Z10569 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 分析大感光像素特种CCD的工艺特点及对系统整体性能参数的影响。提出满势阱光电子数与CCD阱面积A和阱深W的积有关，CCD分辨间隔取决于光电子统计涨落，大像素提高了CCD感光灵敏度和动态范围，对工艺定位要求低，可单件或少量生产，适合我国现有人员、技术、设备和资本经济实力。用DSP+CPLD、FPGA器件和VI软件制作控制器，强化系统整体配置；寻找各行各业需要、技术对路的特种CCD开展研发，实行定单生产，滚动积累开发，走差异化发展道路，是发展我国IT技术产品的策略。

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