作者:郭伟,詹自力,马晓建 单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会 出版:《电子元件与材料》2007年第11期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZAL2007110030 DOC编号:DOCDZAL2007110039 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《半导体气敏元件的选择性研究》PDF+DOC2003年第03期 李永生,杨莉玲 《氧化钨基室温气敏传感器的研究进展》PDF+DOC2016年第10期 尤佳骏,耿欣,吴雨晴,张超 《柔性印刷电子技术与智能包装》PDF+DOC2020年第03期 王展 《WO_3基H_2S气敏材料的研究》PDF+DOC1999年第05期 徐甲强,闫冬良,王国庆,田志壮,江青萍 《掺杂对SnO_2气敏元件的影响》PDF+DOC1992年第01期 翟应田 《催化与气敏传感器》PDF+DOC1988年第05期 雷远进,陶月梅,蒋竹凤 《化学量传感器》PDF+DOC1989年第03期 黄鸿雁,潘喜军 《氢敏材料的研究进展》PDF+DOC2006年第10期 侯长军,范小花,范瑛,唐一科 《气体传感器的发展现状及前景研究》PDF+DOC2005年第21期 马黎君 《半导体气敏元件》PDF+DOC2005年第01期 吴义炳
  • 介绍了近年来文献中半导体气敏元件长期稳定性的研究现状。总结了敏感材料制备条件,敏感材料在长期使用过程中的物理和化学性质变化,以及催化剂失活等主要因素对气敏元件长期稳定性的影响。最后讨论了未来提高气敏元件长期稳定性的研究重点(重点要解决敏感材料在制备、使用过程中的团聚问题)和研究方向(采用改变制备方法来优化材料结构,通过掺杂和表面修饰来改变材料性质等)。

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