作者：叶伟国,潘海波 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2007年第04期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2007040100 DOC编号：DOCCGQJ2007040109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 根据经典的统计理论，并结合麦克斯韦速率分布律得出吸附过程中O2吸附量的理论模型，从而获得氧吸附面密度与温度、氧分压的理论变化规律。在活化能Ea=0.30 eV的情况下，TiO2对氧气吸附的温度敏感区域在120~410K之间，最佳吸附温度为370K，这与由金红石相TiO2所制成氧敏元件的最佳灵敏度所处的工作温度(378K)相近。并由模拟理论推测O2在半导体表面的吸附面密度与氧分压呈线性增加。

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