作者:刘娜,黄庆安,秦明 单位:中国微米纳米技术学会;东南大学 出版:《传感技术学报》2006年第05期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGJS2006051460 DOC编号:DOCCGJS2006051469 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 提出了一种新型的采用标准CMOS工艺结合MEMS后处理工艺加工的电容式绝对压力传感器.传感器结构部分是由导体/介质层/导体组成的可变电容器.电容的上下极板分别为CMOS工艺中的多晶硅栅和n阱硅,中间介质层为栅氧化层.在CMOS工艺加工完之后,利用选择性的体硅腐蚀、pn结自停止腐蚀以及阳极键合等MEMS后处理工艺来得到传感器结构.与传统的电容式压力传感器相比,这种结构具有更大的初始固有电容,这样可以抑制寄生电容的影响,从而简化检测电路的设计.文中,应用多层膜理论模型分析了传感器的结构,并利用ANSYS有限元分析对模型进行了验证,并利用电容变化模型分析了传感器的灵敏度.对于边长为800μm的敏感方膜,初始电容值为1104pF,传感器灵敏度为46fF/hPa.同时,本文给出了传感器的电容检测电路的设计。

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