作者:吴英,江永清,温志渝,胡松 单位:中国电子科技集团第四十四研究所 出版:《半导体光电》1999年第04期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTG1999040050 DOC编号:DOCBDTG1999040059 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 通过建立传感器的力学模型,对硅微电容式加速度传感器的特性作了详细的分析与讨论,为系统结构的优化设计提供了理论基础。

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