作者:郭清,朱大中,姚韵若 单位:南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所) 出版:《固体电子学研究与进展》2006年第01期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGTDZ2006010200 DOC编号:DOCGTDZ2006010209 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 介绍了扇形分裂漏磁敏传感器集成电路的设计,并由0.6μm CMOS工艺实现。该集成电路以扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,并包含两次工作模式的开关阵列预处理电路、相关二次取样电路(CDS)和数字控制电路。该传感器集成电路实现了测量磁场的功能,并实现了在屏蔽磁场的工作模式下对噪声信号进行校正的功能,有效地消除了磁敏传感器及其信号处理电路的噪声影响。在工作频率为10 kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2.62 V/T。

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