作者：施朝霞,朱大中 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2006年第06期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2006060350 DOC编号：DOCCGJS2006060359 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 介绍了一种基于上华0.6μmCMOS工艺实现的pH值传感器集成电路的设计和研究，它采用标准CMOS工艺提供的Si3N4钝化层作为氢离子敏感层，并以多层浮栅结构的ISFET作为传感单元.信号处理电路由基准电流源、恒流恒压控制电路、输出差分电路等组成，使电路输出信号与pH值的变化量呈线性关系.实测结果表明该电路在溶液pH值从1-13范围内输出电压的平均灵敏度为35.8mV/pH，线性度优于5%.该集成电路实现了pH值传感单元与信号处理电路的单片集成。

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