作者：彭勃,袁明权,赵龙 单位：西安市三才科技实业有限公司 出版：《电子设计工程》2006年第12期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGWDZ2006120160 DOC编号：DOCGWDZ2006120169 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 简单介绍了Silicon Design公司开发的非硅MEMS传感器的设计、工艺、输出信号的处理技术。通过巧妙设计和使用铸Ni技术成功地改善了梁的扭摆特性。实测结果表明，10g产品的输出交流噪声有效值和漂移被分别控制在0.4mV和4 mV；50g产品虽然漂移偏大，但其线性系数K2还是达到了10-3～10-4的水准。

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