作者：操文祥,葛立峰 单位：北京信息科技大学 出版：《传感器世界》2006年第03期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGSJ2006030010 DOC编号：DOCCGSJ2006030019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 分析V形槽静电超声传感器微气隙结构研究静电场不均匀性，用解拉普拉斯方程的方法解的单个V形槽面电荷密度。通过建立π/4角两平板电容器模型，提出V形槽静电传感器电容值的定量计算方法，得到与试验相接近的结果。

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