作者:郭鑫,热合曼·艾比布力,王鸿雁,赵立波,蒋庄德 单位:中国科学院长春光机所;中国仪器仪表学会 出版:《光学精密工程》2013年第12期 页数:8页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGXJM2013120230 DOC编号:DOCGXJM2013120239 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 采用自增强技术与硅压阻效应研制了超高压力传感器,该传感器能够消除封装残余应力的影响并保证其在进行大量程压力测量时具有较高的灵敏度输出。该传感器的弹性元件为圆筒结构的高强度弹簧钢,敏感元件为平膜倒杯式硅压阻芯片。传感器工作时,超高压力作用在圆筒结构的金属弹性元件使其发生轴向位移,该位移量通过弹性元件顶端的传递杆施加到周边固支的硅压阻芯片上,使置于此处的4个电阻条阻值发生线性变化,从而输出与被测压力成正比的电压值。在研究弹性元件在1 000MPa超高压力下的工作性能时,理论与仿真相结合研究了弹性元件的承载强度,确定采用自增强处理技术提高弹性元件的承载能力。最后,对封装好的传感器静态性能进行了标定实验。实验结果表明,该传感器能够承受1 000MPa以上的工作压力,线性度为0.52%,满足工业领域的应用需求。

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