作者:田武刚,胡佳飞,潘孟春,赵建强,胡靖华 单位:国防科技大学 出版:《国防科技大学学报》2014年第04期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGFKJ2014040220 DOC编号:DOCGFKJ2014040229 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 针对巨磁阻和磁隧道结等磁阻元件的1/f噪声,提出一种采用微机电系统的磁力线聚集和垂动调制磁场传感器。通过将被测磁场从低频转移到几kHz,实现对磁场的DC/AC转化,从而减小了磁阻元件的1/f噪声。基于该方案采用多层膜巨磁阻元件AA002制作了磁场传感器样品,并进行了实验测试,结果表明:磁传感器样品的调制效率达到了19.3%,超过了已有的其他各种调制方案,同时低频磁场的探测能力达到槡120pT/Hz,相比巨磁阻元件AA002提高了40多倍。

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