作者： 单位：电子工业出版社;美国国际数据集团 出版：《今日电子》2017年第08期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZJR2017080210 DOC编号：DOCDZJR2017080219 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • ATS684在整体成型(over molded)封装内集成有霍尔效应集成电路、稀土背磁和高温陶瓷电容器，内部集成的电容器件可以提供EMI抗干扰性能而无须增加额外器件。ATS684LSN采用双组件差分式传感器设计，能够为速度传感应用提供稳定、无信号干扰的输出性能。在出现旋转铁磁目标时，传感器集成的背磁对于转动的铁性目标轮

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