作者:朱辰,李尧,王雄飞,张昆,熊文龙,张浩彬,张大勇,张利明 单位:华北光电技术研究所 出版:《激光与红外》2014年第04期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFJGHW2014040060 DOC编号:DOCJGHW2014040069 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《632nm激光对CCD和CMOS的干扰实验及机理分析》PDF+DOC2016年第09期 高润,牛春晖,李晓英 《超连续谱光源辐照可见光CMOS图像传感器的实验研究》PDF+DOC2017年第01期 王景楠,聂劲松 《高重频脉冲激光对CMOS相机饱和干扰效果研究》PDF+DOC2013年第06期 邵铭,张雷雷,赵威,张乐 《激光对CCD及CMOS图像传感器的损伤阈值研究》PDF+DOC2008年第06期 林均仰,舒嵘,黄庚华,方抗美,闫志新 《1.06μm激光对CCD、CMOS相机饱和干扰效果对比研究》PDF+DOC2014年第01期 邵铭,张乐,张雷雷,柴国庆,胡琥香 《闪光灯在高速印刷机数字监控系统中的应用》PDF+DOC2006年第01期 王大伟,徐耀良,李渝曾,孙旭生 《雷达与导航、声纳与对抗》PDF+DOC2002年第03期 《图像传感器的应用测量技术(续三)》PDF+DOC2009年第02期 张霞 《行间转移型CCD激光干扰效应阈值估算方法》PDF+DOC2015年第03期 张检民,张震,冯国斌,师宇斌,程德艳,赵军 《光子晶体光纤研究与应用》PDF+DOC2014年第12期 周灵德,李小甫,余海湖,姜德生
  • 首先介绍了CMOS图像传感器工作的基本原理。以自研的超连续谱光源为干扰源搭建了实验装置,对CMOS器件在强光下的受干扰现象进行了实验研究。获得了不同功率密度水平下CMOS器件输出的光斑饱和图像。以入射到CMOS器件靶面的功率密度3.14×10-3W/cm2为例,对得到的图像数据进行了分析,得到了干扰效果图和像元灰度表,并对产生的原因作出了分析。

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