作者：王剑,魏晓伟,张建军,唐祁峰,郭彪,徐磊,敖进清 单位：西华大学 出版：《西华大学学报(自然科学版)》2014年第05期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFSCGX2014050170 DOC编号：DOCSCGX2014050179 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 为了提高NiO气敏材料的响应和恢复速度，采用磁场诱导肼还原法和高温氧化法制备Zn掺杂NiO纳米线，研究Zn掺NiO纳米线基传感器对于氨气的敏感性能。结果表明：随着Zn掺杂浓度的提高(摩尔分数2%~5%)，XRD衍射峰向小角度偏移0.2&#176；~0.4&#176；，且晶面间距增大0.01~0.02 nm，均说明锌离子已成功掺入到NiO晶格中；与未掺杂的NiO纳米线传感器相比，掺杂Zn的NiO纳米线传感器的响应速度提升了6~8倍，恢复速度提升了108~120倍；掺杂的NiO基气敏传感器同时拥有着优异的稳定性和选择性。

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