作者:汪波,李豫东,郭旗,刘昌举,文林,玛丽娅,孙静,王海娇,丛忠超,马武英 单位:中国物理学会 出版:《》 页数:7页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFWLXB2014050410 DOC编号:DOCWLXB2014050419 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究》PDF+DOC 汪波,李豫东,郭旗,刘昌举,文林,任迪远,曾骏哲,玛丽娅 《CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应》PDF+DOC2015年第09期 汪波,李豫东,郭旗,文林,孙静,王帆,张兴尧,玛丽娅 《CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究》PDF+DOC2017年第02期 玛丽娅,李豫东,郭旗,刘昌举,文林,汪波 《CMOS有源像素传感器光响应分析及实验模型建立》PDF+DOC2007年第02期 徐江涛,姚素英,朱天成 《一种新型集成荧光传感器设计与实现》PDF+DOC2014年第06期 施朝霞,曹全君,常丽萍 《0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应》PDF+DOC2015年第02期 汪波,李豫东,郭旗,刘昌举,文林,孙静,玛丽娅 《基于标准CMOS工艺的有源像素单元结构的研究》PDF+DOC2005年第04期 周鑫,朱大中,郭维 《CMOS有源像素传感器像素级噪声的分析与抑制》PDF+DOC2011年第05期 邓若汉,严奕,余金金,陈永平 《一种新型CMOS图像传感器的设计》PDF+DOC 孙鲁,赵慧元,苏秉华 《传感器及传感器数据融合、变送器》PDF+DOC2006年第01期
  • 对某国产0.5μm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)N阱工艺CMOS有源像素传感器的电离总剂量效应进行了研究,通过60Co-γ射线辐照试验,着重分析了对辐射最敏感的暗信号和暗信号非均匀性随总剂量退化的物理机理.实验发现,随着辐照剂量的增加,暗信号和暗信号非均匀性显著退化,并且静态偏置条件下器件的辐射损伤最大.暗信号退化的主要原因是光电二极管pn结和复位晶体管源端N+/Psub结表面边界周围的SiO2产生了大量的界面态;暗信号非均匀性显著退化是由于光电二极管的暗信号增大引起.上述工作可为深入研究CMOS有源像素传感器的抗辐射加固及其辐射损伤评估提供参考。

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