作者：李炘,唐威,张冰,李栋,何杰 单位：航天科技集团公司九院七七一所 出版：《微电子学与计算机》2014年第03期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWXYJ2014030290 DOC编号：DOCWXYJ2014030299 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 通过调整钳位光电二极管P+层掺杂浓度与阈值注入浓度，抑制了4T-APS像元传输管亚阈值漏电，提升了像元的满阱能力与量子效率，并应用TCAD工具进行了仿真验证.结果表明，像元满阱容量可由3500e-提升至7900e-，550nm入射光条件下量子效率可提升27.8%。

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