作者： 单位：北京信息科技大学 出版：《传感器世界》2009年第01期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGSJ2009010200 DOC编号：DOCCGSJ2009010209 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 美国英特尔公司于当地时间2008年12月7日宣布，成功开发了一种高速响应的硅基高感度光电二极管(APD：avalanche photo diode)。性能超过了原来的InP等化合物

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