作者：张冬苓,姚素英,徐江涛,徐超,高志远,韩立镪 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2013年第11期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2013110110 DOC编号：DOCCGJS2013110119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为了提高CMOS图像传感器大尺寸像素的电荷转移效率，消除图像拖尾，通过对像素内电荷转移的RC模型分析，提出一种优化电荷转移的方法。从工艺和版图两方面进行优化，工艺方面是在N埋层的形成步骤中增加一步P型杂质注入，使光电二极管内存在电场，增强电荷转移；版图方面是优化光电二极管的版图为U型，使传输栅伸进光电二极管内尽量长，减少RC模型的传输级数，提高电荷转移效率。与传统像素相比，工艺和版图的优化使电荷转移效率分别提高了2倍和3.3倍，转移时间也分别缩短到传统像素结构的26%和30%左右。对传统像素结构进行工艺和版图同时优化则使电荷转移效率提高了9.5倍。

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