作者：王进军,王侠 单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版：《压电与声光》2013年第05期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYDSG2013050330 DOC编号：DOCYDSG2013050339 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 利用工作在弱反型区MOS管饱和漏电流的指数特性，设计了一款与绝对温度成正比(PTAT)BiCMOS集成温度传感器，主要电路由PTAT电流产生电路、启动电路和输出电路3部分组成，电路结构简单，体积小。测试结果表明，该温度传感器的精度小于0.5℃，线性度小于0.65%，灵敏度为2.5μA/℃，芯片面积为150μm&#215；75μm，具有线性度及灵敏度高的优点，可广泛应于各类便携式电子产品中。

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