作者:张洵,王鹏,靳东明 单位:中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版:《Journal of Semiconductors》2005年第11期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTX2005110290 DOC编号:DOCBDTX2005110299 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 提出了一种采用标准CMOS工艺制造的全CMOS电路结构温度传感器的理论及其电路设计.采用CSMC0·6μm的数模混合工艺仿真,结果表明该传感器在-40~125℃的温度范围内,温度灵敏度为-1·15μA/℃.芯片实测,温度灵敏度为-0·99μA/℃.5V供电时,静态功耗为1·5mW,芯片面积为0·025mm2.该传感器的特性表明它非常适用于高容量的集成微系统,在汽车电子、石油采集、生物医学等领域有着广阔的应用前景。

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