作者：曹少娜,李建设,高艳明,吴素萍,刘梦锦,李娟 单位：浙江省农业科学院;浙江省农学会 出版：《浙江农业学报》2017年第06期 页数：10页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZJNB2017060110 DOC编号：DOCZJNB2017060119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 为研究实时控制灌溉系统下水分传感器埋设位置对温室基质栽培番茄生长特性的影响，提高温室基质栽培水分管理的精准化、智能化。以京番301为试验材料，采用单因素随机区组试验设计，共设6个处理，每处理重复3次，共需18个水分传感器。采用相同的水分上下限指导灌溉，分析不同处理对番茄的生长指标、光合指标、品质、产量、干物质、灌溉指标及植株养分的影响。结果表明，T3(距滴头水平距离10 cm，距滴头垂直距离10 cm)处理生长指标较好，根系发达，净光合速率和蒸腾速率累计值均最大，植株鲜质量最大，干物质积累最多，根冠比也最大。T1(距滴头水平距离5 cm，距滴头垂直距离10 cm)处理植株养分积累最多，T4(距滴头水平距离10 cm，距滴头垂直距离15 cm)处理光能捕获效率最高。但T3处理番茄果实口感较好，Vc含量最高，产量最大为59 749.21 kg&#183；hm~(-2)，显著高于其他处理；水分生产效率也最高为9.58 kg&#183；m~(-3)，并显著优于T2(距滴头水平距离5 cm，距滴头垂直距离15 cm)处理。综上，对于基质槽栽培番茄来说，在采用1个水分传感器监测水分的条件.....。

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