作者:姚虹春,叶荣波,彭波,葛益娴 单位:中国电子科技集团第四十四研究所 出版:《半导体光电》2017年第05期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTG2017050080 DOC编号:DOCBDTG2017050089 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 提出了一种新型结构的温度传感器,该传感器基于Fabry-Perot干涉和双金属效应。采用MEMS技术制作出线性度好、精度高的光纤MEMS温度传感器。阐述了传感器的工作原理,研究了传感器的力学模型,确定了温度敏感膜材料,用有限元软件ANSYS验证了模型的合理性。模拟了法珀腔的腔长对温度传感器性能的影响,为传感器的加工制作提供了理论依据。该设计可为以硅为基底的压力传感器提供一种温度补偿方法。

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