作者：慕艾霖,赵晓锋,李宝增,温殿忠,吴亚林 单位：中国工程物理研究院;中国核学会;四川省核学会 出版：《强激光与粒子束》2016年第06期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFQJGY2016060160 DOC编号：DOCQJGY2016060169 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 基于纳米多晶硅薄膜电阻的多功能传感器由压力传感器和加速度传感器构成。纳米多晶硅薄膜电阻构成的两个惠斯通电桥结构分别设计在方形硅膜表面和悬臂梁根部。采用MEMS技术和CMOS工艺在〈100〉晶向单晶硅片上实现压力/加速度传感器芯片制作，利用内引线技术将芯片封装在一个印刷电路板(PCB)上。在室温下，工作电压为5.0V时，实验结果给出压力传感器灵敏度(a=0)为1.0mV/kPa，加速度传感器灵敏度(p=0)为0.92mV/g，可实现外加压力和加速度的测量，具有较好的灵敏度特性且交叉干扰较弱。

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